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长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的处理方法以及字线结构的形成方法“，公开号CN117334633A，申请日期为2022年6月。
专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构的处理方法以及字线结构的形成方法，其中，所述半导体结构的处理方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括凹槽以及位于所述凹槽中的金属层，所述金属层的顶表面的边缘位置高于所述金属层的所述顶表面的中心位置；使所述半导体结构处于旋转状态；以及，对所述半导体结构进行至少一次金属表面平坦化处理，以使处理后的所述金属层的所述顶表面比处理前的所述金属层的所述顶表面更加平整；其中，所述至少一次金属表面平坦化处理中的每次金属表面平坦化处理包括：采用第一试剂对所述金属层的所述顶表面进行刻蚀；以及，采用第二试剂对所述半导体结构进行清洗。
