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PL60N02D N沟道MOSFET场效应管

  • 发布时间：2023-11-15 15:50:19,加入时间:2023年08月01日(距今509天)
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概述

PL60N02D采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。本设备适用于用作电池保护或其他开关应用程序。

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