650V超结MOS 碳化硅二极管 SBT30L60

特征描述

采用超快体二极管，Qrr极低

650V 击穿电压

相较于竞品，开关损耗显著降低

RDS(on)的温度依赖性极低

优势

出色的硬换向稳健性

总线电压提高，为设计提供额外安全裕度

可实现更高的功率密度

可在工业开关电源 (SMPS) 应用中实现卓越轻载效率

可在工业开关电源 (SMPS) 应用中提高满载效率

相较于市面上的替代产品，价格更具竞争力

应用领域

电动汽车快速充电

电信基础设施

服务器电源

太阳能系统解决方案