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  • 发布时间:2024-10-14 16:47:17,加入时间:2014年05月14日(距今3845天)
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SC95F7613 超高速1T 8051内核Flash MCU ,64 KB Flash ,4 KB SRAM,1 KB独立EEPROM,12位1M高速ADC,1个模拟比较器,LCD/LED Driver,12位PWM,5个定时器,乘除法器,UART,USCI ,CRC校验模块 工作条件 l 宽电压工作范围:2.0V~5.5V. l 工业级工作温度: -40℃ ~ +105℃. 抗干扰能力 l ESD 6KV l EFT 4KV 封装类型 l 28 PIN: SOP28 / TSSOP28 CPU l 超高速1T 8051内核, 指令集全兼容8051,执行速度约为其它1T 8051的2倍 l 双数据指针(DPTRs) 存储 l 64 Kbytes Flash ROM n 分为128个扇区(sector),每个sector 为512 bytes n 可反复写入10万次 n 25℃环境下数据可保存100年以上 l IAP (In Application Programming):可通过Code Option设置项将Flash允许IAP操作的范围设为K l 代码加密:可对Flash加密,确保程序代码无法被读出 l BootLoader:内置1 Kbytes LDROM与EEPROM共用,IC出厂时已烧入BootLoader引导代码(boot code) l EEPROM:内置1 Kbytes EEPROM与LDROM共用,可作为独立的存储区域 l Unique ID: 96 bits Unique ID,存放IC的唯一识别码 l SRAM: n 内部256 bytes 片内直接存取RAM n 4 Kbytes外部RAM+PWM&LCD RAM 80 bytes片内间接存取RAM(XRAM)通过MOVX指令读写 烧录仿真 l 2线JTAG烧写、仿真接口,支持带电仿真 l 量产烧录:3s内可完成64 Kbytes Flash ROM的烧录(含校验) 时钟源 l 内建高频 32MHz 振荡器(HRC) n IC的系统时钟频率(fSYS),可通过编程器选择设定为MHz n 跨越 (2.0V~5.5V) 及 (-40 ~ 105℃) 应用环境,频率误差不超过 ±2% l 内置低频晶体振荡器电路:可外接32k振荡器,作为Base Timer 时钟源 l 内建低频 32kHz 振荡器 (LRC):作为Base Timer及WDT的时钟源 低电压复位(LVR) l 复位电压有4级可选9/1.9V,缺省值为用户Code Option所选值 中断 l 最多16个中断源:Timer0~Timer4,INT0~2,ADC,PWM,UART,USCI0~2,Base Timer,CMP l 外部中断INT0~2共3个中断向量、16个中断口,全部可设上升沿、下降沿、双沿中断 l 两级中断优先级可设 数字外围 46个双向可独立控制的 I/O口,可独立设定上拉电阻 n 全部I/O具有大灌电流驱动能力(50mA) l 内置WDT,可选时钟分频比 l 5个定时器Timer0~4 l 8路12位PWM n 可设为独立模式或互补模式:独立模式下8路PWM共周期,占空比可单独设置;互补模式下可同时输出四组互补、带死区的PWM波形 n 输出波形可反向,可设为中心对齐型或边沿对齐型 n 支持故障检测机制 l 1个独立UART通信口UART0 :TXD0和RXD0可切换至两组I/O口 l 3个UART/SPI/TWI三选一USCI通信口 l 集成16 ×16位硬件乘除法器 l 内建CRC校验模块 l LCD/LED驱动器 n LCD/LED驱动功能二选一,共用寄存器和I/O口 n LED驱动:8 X 28、6 X 26、5 X 27、或4X 28段,LED segment口(P0~P3)源驱动能力四级可选 n LCD驱动:8 X 28、6 X 26、5 X 27、或4X 28段 模拟外围 l 17路12位高速ADC n 1MHz超高速采样时钟,采样到完成转换的总时间低至2μs n 3种参考电压可选:内部的2.048V、内部的1.024V和VDD n 内部一路ADC可直接测量VDD电压 l 1个模拟比较器 n 四路输入一路参考电压输入 n 比较电压16级可选(VDD分压) 电源管理 l Normal Mode:程序和HRC正常运行,电流功耗低至5.2mA (VDD=5V, fSYS=32MHz) l IDLE Mode:程序停止运行,电流功耗低至2.5mA (VDD=5V),可由任何中断唤醒 l STOP Mode:HRC停振,电流功耗低至2μA (VDD=5V),可由 INT0~2和Base Timer

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