、IA5N10SI-SOT89-3
N沟道MOS,Vdss=100V,Id=5A,VGS=±25,RDS(ON)<170m VGS=10V,封装SOT89-3
*一般描述:
IA5N10SI是单N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,可提供出色的RDS(on),低栅极电荷和低栅极电阻。 高达30V的工作电压非常适合开关模式电源SMPS,
笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
*一般特征:
RDS(ON)<170m VGS = 10V(N-Ch)
RDS(ON)<180m VGS = 4.5V(N-Ch)
超高密度电池设计,极低
RDS(ON)出色的导通电阻直流电流
*应用领域:
开关电源,SMPS
电池供电系统
DC / DC转换器
DC / AC转换器
负载开关
雾化器