N沟道MOS,Vdss=100V，Id=5A，VGS=±20V，RDS(ON) < 160mΩ VGS=10V,封装SOT23-3
*一般描述：
IA5N10MI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。 该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
*一般特征：
VDS = 100V ID = 5A
RDS（ON）<160mΩ VGS = 10V
RDS（ON）<170mΩ VGS = 4.5V
*应用领域：
电池保护
负载开关
不间断电源供应
雾化器
