(使用这个芯片之前,请仔细观看下面描述的注意事项, 它包括重要信息。) 1. 我们强烈的，无论引脚功能为何，在复位引脚放置如下电路，以防止高压回流时悬浮和发热。 2. PWM死区时间寄存器的值必须小于占空比周期的值，以避免在PWM输出出现非预期的行为。 3. 如果占空比为“0”，PWM输出不设置为1。 4. AD转换期间，不执行输出指令，以保持所有引脚的精确。为了获取精确的值，需要避免AD转换期间 的I/O引脚的数据转换。 5. ADC编程的顺序 设定AD转换引脚 (ADER1~2) 前，相关的输入通道(ADISR)和ADC电源(ADP = 1)必须置1。 AD转换完成后，关闭AD转换引脚的功能(ADER1~2)。 6. 未执行数据转换的AD引脚必须设置为高阻态输入引脚。 7. EM88F711N无OCDS,请使用ED712N来做模拟。 8. 当EM88F711N (ED712N)烧写时，VDD必须为5V才会烧写成功。因此在EM88F711N烧写与ED712N 模拟时, 请注意周边组件电压耐受性。 1 综述 EM88F711N 是采用低功耗高速CMOS工艺设计开发的8位微控制器，使用仿真器内核仿真并可模拟1K*16位的可编程 ROM。此规格书用于16位仿真器内核的模拟。 2 特性 CPU 配置 支援1K位可编程ROM +64)字节通用目的寄存器 级堆栈用于子程序嵌套 休眠模式期间耗电流典型值为A 个可编程电平电压复位 LVR: 2.3V/ 2.5V, 3.3V/ 3.5V, 3.8V/ 4.0V 个可编程电平电压侦测器 HLVD : 2.2V, 2.3V, 2.4V, 2.5V, 2.6V,2.8V,2.9V, 3.1V, 3.3V,3.5V, 3.7V, 3.9V, 4.1V, 4.3V, 4.5V, 4.7V 种CPU工作模式(正常、低速、空闲、休眠) 端口结构 组双向I/O端口: P5, P6, P8 组可编程引脚改变唤醒端口: P5, P6, P8 组可编程下拉I/O端口: P5, P6, 组可编程上拉I/O端口: P5, P6, 组可编程漏极开路I/O端口: P5, P6, 组可编程高灌/驱动I/O端口: P5, P6, 个外部中断引脚 工作频率范围: V~5.5V在C~C (工规) 工作频率范围(基于2 个时钟) 主振荡器: 晶振模式: DC~20 MHz4V; DC~16 MHz3V; DC~8 MHz2.2V RC模式: DC~20 MHz4V; DC~16 MHz3V; DC~8 MHz2.2V 内部RC 频率 偏移率= 温度(-40℃~+85℃)+ 电压 (2.2V~5.5V) (IRCPSS =0) +制程 NUWTR 总计 UWTR 总计 1MHz ±4% ±5% 4MHz ±4% ±5% 8MHz ±4% ±5% 10MHz ±4% ±5% 12MHz ±4% ±5% 16MHz ±4% ±5% 20MHz ±4% ±5% 副振荡器: RC 模式: 16k/128kHz 外设配置 +1通道12位精度的模数转换器+1个内部参考电压Vref 位定时器(TC1)，六种模式，分别是： 定时器/计数器/捕捉 /窗口/蜂鸣器/PWM/PDO(可编程分频器输出) 模式。 二组互补的PWM, /PWM 通用异步接收/发送器(UART) 掉电(休眠)模式 高抗EFT特性 个可用中断 (4 外部, 10 内部) 外部中断 输入端口状态改变中断(由休眠模式唤醒) HLVD 中断 定时器中断 二组互补PWM ADC 转换完成中断 UART TX, RX , RX错误中断 封装类型:: pin DIP 300mil : EM88F711ND14 pin SOP 150mil : EM88F711NSO14 pin MSOP 118mil : EM88F711NMS10 pin DIP 300mil : EM88F711ND8 pin SOP 150mil : EM88F711NSO8 注意: 绿色产品不含有害物质 单指令周期命令