一、产品简介
PA-LASI系列单轴加速度传感器用于测量单轴向加速度的传感器。它采用高精度MEMS芯片，具有BIMOS信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有高可靠性和高封装坚固性，并具有自检测功能，可实现BIT检测。 本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。
二、产品原理
PA-LASI系列冲击加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面MEMS多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块相连的中央板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转，从而产生电压输出信号。
三、技术参数
技术参数
加速度
A x
输入电压（Vdc）
＋12±5％Vdc
输入电流（mA）
10mA
测量范围注
±50g
刻度因数（mV/g）
40±5
满量程输出电压（V）
0～5V内
零偏电压（V）
2.5±0.1V
非线性度（％FS）
≤0.2%FR
启动时间（ms）
＜10ms
带宽注
0~8000Hz（-3dB）
交叉偶合
<±3%
可靠性
MTBF 10万小时
工作温度
－40℃～＋85℃
冲击
不供电,0.5ms
10000g
供电，0.5ms
10000g
重量
30g
.外形尺寸
28*28*16和35×35×25mm3详见5.外形尺寸图
注：测量范围可选：±2g、±5g、±10g、±20g、±50g、±100g、±250g和±500g；
可选≤20KHz的任一带宽值；
四、引线定义
电缆长度50公分
电缆色别Pin
定义
1
电源、信号地Ground
2
加速度计Axout
5
壳体地Case GND
6
+12V VDD
其余
悬空
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