综述
EM78P153K替代料EM79F703KSO14J 是采用低功耗高速CMOS 工艺设计开发的8 位微控制器。它的内部有一个1K×13 位
一次性可编程只读存储器(OTP-ROM)。它提供1 个保护位用于防止用户在OTP-ROM 中的程序被
读取，同时拥有15 个代码选项位以满足用户的需要。
利用其增强的OTP-ROM 特性，EM78P153K 可使用户方便的开发和校验程序，另外，利用开发
和编程工具，此OTP 提供了容易而有效的程序更新优势。用户可以使用义隆烧录器容易的烧写自
己的开发代码。
2 产品特性
&#; CPU 配置
• 1K×13 位片内 ROM
• 32×8 位片内寄存器(SRAM, 通用寄存器)
• 5 级推栈用于子程序嵌套
• 电流小于 1.5 mA @5V / 4 MHz
• 典型值 15 μA @3V / 32kHz
• 典型值 1 μA@休眠模式
&#; I/O 端口配置
• 2 组双向I/O 端口: P5, P6
• 12 个IO 引脚
• 唤醒端口: P6
• 6 个可编程下拉I/O 引脚
• 7 个可编程上拉I/O 引脚
• 7 个可编程开漏极I/O 引脚
• 外部中断: P60
&#; 工作电压范围
• 工作电压: 2.1V~5.5V @ 0°C ~70°C (商业级)
• 工作电压: 2.3V~5.5V@ -40°C ~85°C (工业级)
&#; 工作频率范围(基于2 个时钟周期)
• IRC 模式:
偏移率
IRC 频率温度
(-40~85°C) 电压制程 总计
4 MHz ± 1% ± 3% @ 2.1~5.5V ± 2% ± 6%
16 MHz ± 1% ± 1% @ 4.0~5.5V ± 2% ± 4%
8 MHz ± 1% ± 2% @ 3.0~5.5V ± 2% ± 5%
1 MHz ± 1% ± 3% @ 2.1~5.5V ± 2% ± 6%
• 晶振模式:
DC~20 MHz / 2clks @ 5V
DC~8 MHz / 2clks @ 3V
DC~4 MHz / 2clks @ 2.1V
• ERC 模式:
DC~2 MHz / 2clks @ 2.1V
&#; 外围配置
• 8 位实时时钟/计数器（TCC），可编程选择其信号源、触
发边沿，溢出产生中断
• 上电复位和3 个可编程的复位电压
上电复位电压：1.8V(默认)，LVR:4.0V,3.5V 和2.7V
• 代码选项可供选择每条指令占用周期数:2 或4 个时钟周
期
• 高抗 EFT
&#; 3 个可用中断源:
• TCC 溢出中断
• 输入端口状态改变中断(从休眠模式唤醒)
• 外部中断
&#; 特殊功能：
• 可编程自由运行的看门狗定时器
• 休眠省电模式
• 可选择振动模式
• 可编程振荡器起振时间的预分频
&#; 封装类型
• 14-引脚 DIP 300mil : EM78P153KD14J
• 14-引脚 SOP 150mil: EM78P153KSO14J
• 10-引脚 SSOP 150mil: EM78P153KSS10J
• 10-引脚 SSOP 150mil: EM78P153KASS10J
注: 绿色产品不包含有害物质.
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