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致芯科技提供各种集成电路的仿制服务，根据客户提供的芯片，经过逆向设计，设计出与原芯片布局相同，功能和性能完全一致的产品，与原芯片完全兼容。
致芯科技具有CMOS、Bipolar、BiCMOS、BCD等各种电路类型的版图设计能力，在近10年来完成了大量的各种工艺的芯片仿制项目。
要写EEPROM 数据存储单元，必须按照下列顺序进行：
1. 擦除数据EEPROM 的字。
a) 在NVMCON 寄存器中，选择字擦除数据EEPROM，并置1 WREN 位。
b) 把要擦除的字的地址写入NVMADR。
c) 允许NVM 中断(可选)。
d) 把“55”写入NVMKEY。
e) 把“AA”写入NVMKEY。
f) 置1 WR 位。这将开始擦除周期。
g) 查询NVMIF 位或等待NVMIF 中断。
h) 当擦除周期结束时WR 位会被清零。
2. 把数据字写入数据EEPROM 的写锁存器中。
3. 把1 个数据字编程到数据EEPROM 中。
a) 在NVMCON 寄存器中，选择字编程数据EEPROM，并置1 WREN 位。
b) 允许NVM 写完成中断(可选)。
c) 把“55”写入NVMKEY。
d) 把“AA”写入NVMKEY。
e) 置1 WR 位。这将开始编程周期。
f) 查询NVMIF 位，或者等待NVM 中断。
g) 当写周期结束时WR 位会被清零。
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