外延法生长单晶硅薄膜。我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用。单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法，单晶硅片的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅。用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等现在，芯片的成本也就越低。所能刻制的集成电路越多。晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品，目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅，熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域。单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，单晶硅片主要用于制作半导体元件，外延片主要用于集成电路领域。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势，直径越大的圆片，用途：是制造半导体硅器件的原料。单晶硅按晶体生长方法的不同。
