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和运行。
在多款充电芯片中，小米自研的澎湃P1芯片以其率脱颖而出。
作为业界谐振充电芯片，澎湃P1拥有自适应开关的4:1超率架构。其谐振拓扑效率高达97.5%，非谐振拓扑效率
为96.8%，热损耗直线下降30%。此外，它还具有0.83Wmm2的超高功率密度和业界的超低1.18mΩmm2 RSP。这款芯片被
用于小米12 Pro手机中，实现了行业的“120W单电芯”充电技术，填补了该领域的空白。
请注意，充电芯片的效率可能受到多种因素的影响，包括电路设计、电池类型、充电速度等。因此，在选择充电芯片时，除
了效率，还需要综合考虑其他因素，如安全性、性和成本等。
