GR8853A是一种高压、高速、自振荡功率MOSF

  • 发布时间:2024-08-23 15:08:50,加入时间:2022年04月26日(距今870天)
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描述

GR8853A是一种高压、高速、自振荡功率MOSFET和IGBT驱动器,具有高侧和低侧参考输出通道。 专有HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的单片结构成为可能。 前端有一个类似于555计时器的可编程振荡器。 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级和内部死机时间,旨在实现最小的驱动器交叉传导。

两个通道的传播延迟匹配,以简化50%占空比应用中的使用。 浮动通道可用于驱动高侧配置的N-MOSFET或IGBT,该配置在高达600伏的高压导轨上运行。

特点

•为+600V的引导操作设计的浮动通道

•瞬态电压的噪声抗性

•欠压锁定

•可编程振荡器频率

•两个通道的匹配传播延迟

•75uA的超低启动电流

•关机功能关闭两个通道

•与Ry相位的低侧输出

应用

•HID灯镇流器

•PDP维持驱动

• 电机驱动器

• SMPS

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