刻蚀机是一种用于在材料表面去除特定图案的设备，广泛应用于微电子、光电子等领域。
刻蚀机的主要功能是通过物理或化学反应去除材料表面的特定部分，以形成所需的微纳米结构。这些结构在集成电路、传感器、光学器件等高科技产品的制造中扮演着至关重要的角色。刻蚀机的技术包括反应离子刻蚀（RIE）、感应耦合等离子体刻蚀（ICPE）等多种方法，每种方法都有其特定的应用场景和优势。
反应离子刻蚀（RIE）是在低气压下，通过反应气体在射频电场作用下产生等离子体，实现离子的物理轰击溅射和活性粒子的化学反应，从而完成高精度的图形刻蚀。这种方法具有各向异性好、选择比高、大面积刻蚀均匀性好等优势，适用于氧化硅、氮化硅等介质材料及聚合物材料（如PI、PDMS）的微纳米结构刻蚀。 感应耦合等离子体刻蚀法（ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果，通过暴露在电子区域的气体形成等离子体，产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，形成等离子或离子，通过电场加速时释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。
