本设备主要用于半导体刻蚀,能够兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能,使用气态化学刻蚀剂与材料产生反应来进行刻蚀,并形成可从衬底上移除的挥发性副产品,通过真空系统排出,特别适合刻蚀熔融石英、硅、光刻胶、聚酷亚胺( PI) 薄膜、金属等材料。
本设备主要用于半导体刻蚀,能够兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能,使用气态化学刻蚀剂与材料产生反应来进行刻蚀,并形成可从衬底上移除的挥发性副产品,通过真空系统排出,特别适合刻蚀熔融石英、硅、光刻胶、聚酷亚胺( PI) 薄膜、金属等材料。
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