该 SST39VF640xB 设备是4M x16 CMOS 多功能闪存 + (MPF +) ，采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF640xB 写(程序或删除)与2.7-3.6 V 电源。这些设备符合 JEDEC 针对 x16存储器的标准引脚分配。SST39VF640xB 设备具有高性能 Word 程序，提供典型的7微秒 Word 程序。这些设备使用切换位或数据 # 轮询来指示程序操作的完成。为了防止意外写入，他们有片上硬件和软件数据保护方案。设计，制造和测试的应用范围广泛，这些设备提供了一个有保证的典型耐久性100,000周期。数据保存期超过100年。SST39VF640xB 设备适用于需要方便和经济的程序更新的应用,配置，或数据存储器。对于所有系统应用程序，它们显著提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。与替代闪存技术相比，它们在擦除和编程过程中固有地使用更少的能源。总能量消耗是施加电压、电流和施加时间的函数。由于任何给定的电压范围，超级闪存技术使用较少的电流来编程，并有较短的擦除时间，总能耗在任何擦除或程序操作是少于替代闪存技术。这些设备还提高了灵活性，同时降低了程序、数据和配置存储应用程序的成本。SuperFlash 技术提供固定的擦除和编程时间，与已经发生的擦除/编程周期的数量无关。因此，系统软件或硬件不需要根据替代闪存技术的需要进行修改或降级，因为闪存技术的擦除和程序时间随着积累的擦除/程序周期而增加。为了满足高密度、表面安装的要求，SST39VF640xB 设备采用48导线 TSOP 和48球 TFBGA 封装。请参见图1和图2中的小型作业。
