CJ4459结合了先进的沟道 MOSFET 技术和低电阻封装，提供极低的 RDS (ON)。该设备是负载开关和电池保护应用的理想选择。
参数符号值单排水源电压 VDS-30 VGate-Source 电压 VGS ± 20 V 连续排水源电流 ID-5.0 APulsed 排水电流(注1) IDM-30 APulsed 排水电流(注2) PD 0.35 WW 热阻(t ≤10s)(注2) RθJA 357 ° C/WOperation 结和存储温度范围 TJ，TSTG -55 ~ 150 ° C
