| 碳化硅 MOSFET | 电压 | 电流 | 阻抗 | 驱动电压 | 封装外形 |
| C2M0160120D | 1200V | 19A | 160mΩ | 20V | TO247-3 |
| C2M0160120K | 1200V | 19A | 160mΩ | 20V | TO247-4 |
| C2M0080120D | 1200V | 36A | 80mΩ | 20V | TO247-3 |
| C2M0080120K | 1200V | 36A | 80mΩ | 20V | TO247-3 |
特征描述
采用超快体二极管，Qrr极低
650V 击穿电压
相较于竞品，开关损耗显著降低
RDS(on)的温度依赖性极低
优势
出色的硬换向稳健性
总线电压提高，为设计提供额外安全裕度
可实现更高的功率密度
可在工业开关电源 (SMPS) 应用中实现卓越轻载效率
可在工业开关电源 (SMPS) 应用中提高满载效率
相较于市面上的替代产品，价格更具竞争力
应用领域
电动汽车快速充电
电信基础设施
服务器电源
太阳能系统解决方案
