锐骏RU3040M3 30V漏源电压 N沟MOS管

发布时间：2023-08-30 10:27:48,加入时间:2023年03月07日(距今628天)

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概述：

N沟道功率MOSFET——RU3040M3，采用DFN3333封装，其漏源电压V_DSS为30V，栅源电压V_GSS为±20V，连续漏极电流I_D为40A（安装于大型散热片上，V_GS=10V，T_C=25℃），存储温度范围为-55℃~+150℃，漏源导通电阻的典型值为5mΩ（V_GS=10V, I_DS=25A），总栅极电荷Q_g的典型值为15nC（V_DS=24V，V_GS=10V，I_DS=25A）。该器件经过100%雪崩测试，可提供无铅和绿色环保器件，符合RoHS标准，可用于服务器的板载电源和同步整流等。

产品特点

• 30V/40A

• R_{DS (ON)} =5mΩ(典型值)@V_GS=10V

• R_{DS (ON)} =6.5mΩ(典型值)@V_GS=4.5V

• 超高密度单元设计

• 切换速度快

• 低栅极电荷

• 100%雪崩测试

• 提供无铅和绿色环保器件（符合 RoHS 标准）

产品应用

• 开关应用系统

• 服务器的板载电源

• 同步整流

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