AP2N10 NMOS SOT23 场效应管 N道

  • 发布时间:2024-03-02 00:00:00,加入时间:2023年03月25日(距今602天)
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Green Device Available Super Low Gate ChargeExcellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density Trenchtechnology​ TheAP2N10 is the high cell density trenchedN-ch MOSFETs, which provides excellent RDSONand efficiency for most of the small powerswitching and load switch applications.Themeet the RoHS and Green Productrequirement with full function reliability approved.​

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