AP2N10 NMOS SOT23 场效应管 N道

  • 发布时间:2024-03-02 00:00:00,加入时间:2023年03月25日(距今639天)
  • 地址:中国»广东»深圳:广东省深圳市 宝安区宝源路名优工业产品展示采购中心
  • 公司:深圳市世微半导体有限公司, 用户等级:普通会员 已认证
  • 联系:刘先生,手机:18923706103 微信:swAugus 电话:0755-29977358 QQ:3004855367
Green Device Available Super Low Gate ChargeExcellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density Trenchtechnology​ TheAP2N10 is the high cell density trenchedN-ch MOSFETs, which provides excellent RDSONand efficiency for most of the small powerswitching and load switch applications.Themeet the RoHS and Green Productrequirement with full function reliability approved.​

联系我时请说明来自志趣网,谢谢!

免责申明:志趣网所展示的信息由用户自行提供,其真实性、合法性、准确性由信息发布人负责。使用本网站的所有用户须接受并遵守法律法规。志趣网不提供任何保证,并不承担任何法律责任。 志趣网建议您交易小心谨慎。