AP30N06 NMOS TO252 N沟道场效应

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100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology The is the high cell density trenched N -ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved ​

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