产品名称: 镍钒(NiV)合金靶材
元素符号: Ni+V
纯度: 3N, 3N5, 4N
形状 :平面靶 旋转靶 异型定制
镍钒合金靶材的描述:在集成电路制作中一般用纯金做表面导电层,但金与硅晶园容易生成AuSi低熔点化合物,导致金与硅界面粘接不牢固,人们提出了在金和硅晶圆的表面增加一粘接层,常用纯镍做粘接层,但镍层和金导电层之间也会形成扩散,因此需要再有一阻挡层,来防止金导电层和镍粘接层之间的扩散。阻挡层需要采用熔点高的金属,还要承受较大的电流密度,高纯金属钒能满足该要求。所以在集成电路制作中会用到镍溅射靶材、钒溅射靶材、金溅射靶材等。镍钒溅射靶材是在制备镍钒合金靶材过程中,在镍熔体中加入钒,使制备出的合金更有利于磁控溅射,结合了镍溅射靶材和钒溅射靶材的优点,可一次完成溅射镍层(粘接层)和钒层(阻挡层)。镍钒合金无磁性,有利于磁控溅射
镍铬、镍钴可定制