CS8591E适用于移动式内置扬声器的便携式音频设备.在 7.5电源供电情况下，可以为4Ω的负载提供6.0W的连续功率。CS8591E采用桥接负载结构在提供高品质音频功率放大的同时，大大减少了外部元件数，无需外接输出耦合电容和自举电容。CS8591E内置待机电路，当SD管脚接高电平时，整个电路工作在待机模式，待机电流不超过100nA。
CS8591E内置了杂音消除电路，可以消除芯片启动和关断过程中的咔嗒声或噼噗声。还可以通过外接电阻来调节增益。CS8591E内置了过热保护，有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。CS8591E提供了纤小的ESOP8封装形式，额定的工作温度范围为-40℃至85℃。
优异的"噼噗-咔嗒"（pop-noise）杂音抑制能力，优异的低噪抑制功能，工作电压范围∶3.0V到7.5V，高电源抑制比（PSRR）∶在217Hz下为72dB，快速的启动时间 （200ms），低静态电流 （5mA），低关断电流（< 0.1μA），过流保护，短路保护和过热保护，符合Rohs标准的无铅封装。
