SC95F8517 超高速1T 8051内核Flash MCU ，32 KB Flash ，4 KB SRAM，1 KB独立EEPROM，31路双模触控电路，12位1M高速ADC，1个模拟比较器，LCD/LED Driver，12位PWM，5个定时器，乘除法器，UART，USCI ，CRC校验模块 工作条件 l 宽电压工作范围：2.0V~5.5V. l 工业级工作温度： -40℃ ~ +105℃. 抗干扰能力 l ESD 6KV l EFT 4KV 封装类型 l 48 PIN: LQFP48 (7X7) / QFN48 (7X7) CPU l 超高速1T 8051内核， 指令集全兼容8051，执行速度约为其它1T 8051的2倍 l 双数据指针（DPTRs） 存储 l 32 Kbytes Flash ROM n 分为64个扇区（sector），每个sector 为512 bytes n 可反复写入10万次 n 25℃环境下数据可保存100年以上 l IAP (In Application Programming)：可通过Code Option设置项将Flash允许IAP操作的范围设为K l 代码加密：可对Flash加密，确保程序代码无法被读出 l BootLoader：内置1 Kbytes LDROM与EEPROM共用，IC出厂时已烧入BootLoader引导代码（boot code） l EEPROM：内置1 Kbytes EEPROM与LDROM共用，可作为独立的存储区域 l Unique ID： 96 bits Unique ID，存放IC的唯一识别码 l SRAM： n 内部256 bytes 片内直接存取RAM n 4 Kbytes外部RAM+PWM&LCD RAM 80 bytes片内间接存取RAM(XRAM)通过MOVX指令读写 烧录仿真 l 2线JTAG烧写、仿真接口，支持带电仿真 l 量产烧录：3s内可完成32 Kbytes Flash ROM的烧录（含校验） 时钟源 l 内建高频 32MHz 振荡器（HRC） n IC的系统时钟频率（fSYS），可通过编程器选择设定为MHz n 跨越 (2.0V~5.5V) 及 (-40 ~ 105℃) 应用环境，频率误差不超过 ±2% l 内置低频晶体振荡器电路：可外接32k振荡器，作为Base Timer 时钟源 l 内建低频 32kHz 振荡器 (LRC)：作为Base Timer及WDT的时钟源 低电压复位（LVR） l 复位电压有4级可选9/1.9V，缺省值为用户Code Option所选值 电源管理 l Normal Mode：程序和HRC正常运行，电流功耗低至5.2mA (VDD=5V, fSYS=32MHz) l IDLE Mode：程序停止运行，电流功耗低至2.5mA (VDD=5V)，可由任何中断唤醒 l STOP Mode：HRC停振，电流功耗低至2μA (VDD=5V)，可由 INT0~2、Base Timer和TK唤醒