BLMN沟道MOS,使用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极操作电压低至2.5V。该设备适合用作电池保护或其他开关应用。
一般特征
VDS=20V,ID=2.9A
RDS(ON)<59mΩVGS=2.5V
RDS(ON)<45mΩVGS=4.5V
高功率和电流处理能力
电池保护
负载开关
电源管理
BLMN沟道MOS,使用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极操作电压低至2.5V。该设备适合用作电池保护或其他开关应用。
一般特征
VDS=20V,ID=2.9A
RDS(ON)<59mΩVGS=2.5V
RDS(ON)<45mΩVGS=4.5V
高功率和电流处理能力
电池保护
负载开关
电源管理
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