.上海贝岭BLM2302

  • 发布时间:2018-12-13 14:38:21,加入时间:2016年07月23日(距今2904天)
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BLMN沟道MOS,使用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极操作电压低至2.5V。该设备适合用作电池保护或其他开关应用。

一般特征
VDS=20V,ID=2.9A
RDS(ON)<59mΩVGS=2.5V
RDS(ON)<45mΩVGS=4.5V
高功率和电流处理能力

电池保护
负载开关
电源管理

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