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AP30N10D-TO25N沟道MOS

  • 发布时间：2018-09-30 10:22:09,加入时间:2016年07月23日(距今2904天)
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、AP30N10D-TO252

N沟道MOS,Vdss=100V，VDS =100V，ID =30A，RDS（ON）<37mΩ VGS = 10V，*一般描述：

AP30N10D采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电压。 它可用于各种应用。

*一般特征：

VDS =100V，ID =30A
RDS（ON）<37mΩ VGS = 10V
高密度电池设计，适用于超低Rdson
高EAS，稳定性好，均匀性好
优良的封装，散热好
高ESD能力的特殊工艺技术

*应用领域：

电源切换应用
硬开关和高频电路
不间断电源

雾化器

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