IA15N10-TO252
N沟道MOS,Vdss=100V，VGS=±20,Id=15A，RDS（ON）<90mΩ VGS = 10V ,封装TO252
*一般描述：
IA15N10采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电压。 它可用于各种应用
*一般特征：
VDS =100V，ID =15A
RDS（ON）<90mΩ VGS = 10V
RDS（ON）<100mΩ VGS = 4.5V
超高密度电池设计，极低
RDS（ON）出色的导通电阻直流电流
*应用领域：
电源切换应用
硬开关和高频电路
不间断电源供应
雾化器
