4、IA10N10D-TO252
N沟道MOS,Vdss=100V,VGS=±20,Id=10A,RDS(ON) <150mnbsp; VGS=10V (Typ:136mnbsp;,封装TO252
*一般描述:
IA10N10D采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用。
*一般特征:
VDS = 100V,ID = 10A
RDS(ON)<150mΩ VGS = 10V(典型值:136mΩ)
RDS(ON)<170mΩ VGS = 4.5V(典型值:160mΩ)
高密度电池设计,适用于超低Rdson
封装散热良好
*应用领域:
电源切换应用
硬开关和高频电路
不间断电源供应
雾化器