综述 EM78F734N是采用低功耗高速CMOS和噪声高抗干扰工艺设计开发的8位微控制器。其内部有一个4Kx13位 的片上电可擦除闪存和128x8位系统可编程EEPROM。它还提供3个保护位避免用户的闪存程序被盗取。 具有增强的Flash-ROM特性的EM78F734N能够为用户提供开发和校验程序的便利。另外，此Flash-ROM器 件为开发和编程工具提供了容易而有效的程序更新优势。用户可以很容易的使用义隆烧录器烧写自己的开发 代码。 2 特性 CPU 结构 K位闪存 0;8 位片上寄存器 (SRAM) 字节系统可编程EEPROM 级堆栈用于子程序嵌套 端口结构 组双向 I/O 端口 唤醒端口:P6 个可编程下拉I/O引脚 个可编程上拉I/O引脚 个可编程漏极开路I/O引脚 外部中断:P60 工作电压范围 V~5.5V时C ~C (工业级) V~5.5V时C ~C (商业级) 操作频率范围（基于2 个时钟） RC偏移率(Vdd 3.3V) RC 偏移率(温度: -10°C+40°C) 一个16 位定时器/计数器 TC1 : 定时器/计数器/捕获 一个8 位定时器/计数器 TC3 : 定时器/计数器/PDO(可编程驱动输 出)/PWM(脉宽调制) 内部 RC 频率 漂移率 温度 (-10°C+40°C) 制程 总计 455kHz ±1% ±1% ±2% 1 MHz ±1% ±1% ±2% 4 MHz ±1% ±1% ±2% 8 MHz ±1% ±1% ±2% 内部 RC 频率 漂移率 电压 (3.0~ .6V) 制程 总计 455kHz ±1% ±1% ±2% 1 MHz ±1% ±1% ±2% 4 MHz ±1% ±1% ±2% 8 MHz ±1% ±1% ±2% 个可用的中断: 内部中断: 4个 外部中断: 4个 位精度8通道的模数转换器 外设配置 位可选信号源、触发沿和溢出中断的实时时钟 /计数器(TCC) 掉电 (休眠) 模式 级可编程电压复位(LVR) (LVR):3.3V, 3.0V, 2.6V和 2.0V (POR) 个保护位防止闪存代码被盗取 个配置寄存器以适应用户的需求 每条指令两个时钟周期 高抗 EFT 特性 两个副频:128kHz和16kHz, 16kHz由128kHz分频所得 单指令周期命令 振荡模式中的5个晶振范围 晶振范围 振荡模式 20 MHz ~ 12 MHz HXT2 12 MHz~6 MHz HXT1 6 MHz ~ 1 MHz XT 1MHz ~ 100kHz LXT 可编程的独立运行看门狗定时器 封装类型: 引脚 DIP 300mil : EM78F734ND16 引脚SOP 300mil : EM78F734NSO16 引脚SOP 150mil : EM78F734NSO16A 引脚SSOP 150mil : EM78F734NSS16 引脚DIP 300mil : EM78F734ND18 引脚SOP 300mil : EM78F734NSO18 引脚DIP 300 mil : EM78F734ND20 引脚SOP 300mil : EM78F734NSO20 引脚 SSOP 209mil : EM78F734NSS20 注: 绿色产品不含有害物质