综述 EM78P372N 是采用低功耗高速CMOS 工艺设计开发的8 位微控制器。该控制器有片内2KX13 位一次性编程 ROM(OPT-ROM)。它提供一个保护位用以保护用户在OTP 存储器内的程序不被读取，三个代码选项以满足 用户的需要。 基于增强的OTP-ROM 特性，EM78P372N 可方便地开发和校验用户代码，另外，使用开发与编程工具，使 此OTP 代码更新更加简单和有效，用户可利用义隆烧录器很容易地烧录其开发代码。 产品特性 &#; CPU 配置 • 2K×13 位片内 ROM • 80×8位片内寄存器 (SRAM) • 8级堆栈用于子程序嵌套 • 4级可编程电压检测(LVD) : 4.5V, 4.0V, 3.3V, 2.2V • 3级可编程电压复位(LVR) : 4.0V, 3.5V, 2.7V • 5V/4 MHz 工作条件下耗电流低于 1.5 mA • 3V/32kHz 工作条件下耗电流典型值为 15 μA • 休眠模式下耗电流典型值为 2 μA &#; I/O 端口配置 • 3 组双向I/O端口: P5, P6, P7 • 18 I/O 引脚 • 唤醒端口: P5 • 8 个可编程下拉I/O引脚 • 16 个可编程上拉I/O引脚 • 8 个可编程漏极开路I/O引脚 • 14 个可编程高灌I/O引脚 • 外部中断: P60 &#; 工作电压范围: • 2.1V~5.5V at 0°C~70°C (商规) • 2.3V~5.5V at -40°C~85°C (工规) &#; 工作频率范围(基于2个时钟周期): • 晶振模式: DC ~ 16 MHz, 4.5V; DC ~ 8 MHz, 3V; DC ~ 4 MHz, 2.1V • ERC模式: DC ~ 2 MHz, 2.1V; • IRC 模式 振荡模式: 16 MHz, 4 MHz, 1 MHz, 8 MHz 快速启动时间，在XT模式(VDD: 5V, 晶振: 4 MHz, C1/C2: 15pF)下只需0.8ms, 在IRC模式(VDD: 5V, IRC: 4 MHz)下 只需10μs。 &#; 外设配置 • 8位实时时钟/计数器 (TCC)，其时钟源、边沿触发和溢 出中断可选 • 8通道解析度为12位的模数转换器 • 一对比较器或OP(偏移电压: 小于10mV) • 两个脉宽调制器 (PWM)，8位分辨率 &#; 10个可用中断 • TCC 溢出中断 • 输入端口状态改变中断（可唤醒休眠模式） • 外部中断 • ADC 转换完成中断 • 比较器状态改变中断 • 低电压检测(LVD) 中断 • PWM1~2 周期匹配中断 • PWM1~2 占空比匹配中断 &#; 特性: • 可编程的自由运行看门狗定时器 (4.5 ms : 18 ms) • 休眠省电模式 • 上电电压侦测器(1.9V ± 0.2V) • 高抗EFT特性 (4MHz及以下抗EFT性能更好) &#; 封装类型: • 10-pin MSOP 118mil : EM78P372NMS10J/S • 10-pin SSOP 150mil : EM78P372NSS10J/S • 14-pin DIP 300mil : EM78P372ND14J/S • 14-pin SOP 150mil : EM78P372NSO14J/S • 16-pin SOP 150mil : EM78P372NSO16AJ/S • 18-pin DIP 300mil : EM78P372ND18J/S • 18-pin SOP 300mil : EM78P372NSO18J/S • 20-pin DIP 300mil : EM78P372ND20J/S • 20 pin SOP 300mil : EM78P372NSO20J/S • 20 pin SSOP 209mil : EM78P372NSS20J/S 电话： QQ: