IA2806WML采用硅外延工艺制高频三极管

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IA2806WML  替代 ON4973 BFG50 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；

IA2806WML  替代 ON4973 BFG50 主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中，如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、雷达感应开关、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；

IA2806WML  替代 ON4973 BFG50 集电极-发射极击穿电压：BV_CEO=15V，集电极　电流：I_C=70mA,集电极耗散功率：P_C=300mW，特征频率：f_T=9GHz；

采用4引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的SOT143B和SOT143R表面贴塑封。