泰思特EDS 10IC元器件半导体静电放电发生器

EDS 10IC元器件半导体静电放电发生器泰思特

3Ctest/3C测试中国EDS 10IC静电放电发生器(EDS 10IC静电放电发生器针对人体模型(HBM)和机械模型(MM)的静电放电抗扰度试验的特点和要求专门设计，可以对LED、晶体管、IC等半导体器件进行静电抗扰度的测试。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相应标准的要求，同时完全满足上述所有标准中严酷等级的静电电压要求。

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3Ctest/3C测试中国EDS 10IC静电放电发生器(特点：

全新三代控制平台，触摸屏智能化控制。

自动识别阻容模块，并调整大电压。

低电压5V，1V步进调节电压

可完成单次或自动放电测试，可设置次数、频率等参数。

Human Body Model (HBM)

Machine Model (MM)

ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009

JEDEC JESD22- A114E Jan.2007

ANSI /ESD-STM5.1 2007

MIL-STD-883G 28 Feb.2006

ANSI/JEDEC JS

JEDEC JESD22- A115C Nov.2010

技术参数
HBM 短路电流参数
放电电容	100 pF
放电电阻	1500 Ω
峰值电流Ips	0.17 A +10% @250 V 0.33 A +10% @500 V 0.67 A +10% @1000 V 1.33 A +10% @2000 V 2.67 A +10% @4000 V
上升时间	2 ns~10 ns
脉冲宽度	150 ns + 20 ns
振铃幅度	<15%峰值电流
HBM 500欧电阻电流参数
峰值电流Ipr	375 mA~550 mA @ 1000V 1.5 A~2.2 A @ 4000V
Ipr/Ips	≥ 63%
上升时间	5 ns~25 ns
MM短路电流参数
放电电容	200 pF
放电电阻	0 Ù
峰值电流Ip1	0.44 A +20% @25 V 0.88 A +20% @50 V 1.75 A +10% @100 V 3.5 A +10% @200 V 7.0 A +10% @400 V
Ip2/Ip1	67%~90%
周期	66 ns~90 ns
MM 500欧电阻电流参数
峰值电流Ipr	0.85 A~1.2 A @ 400 V
100 ns电流值 I₁₀₀	0.23 A~0.40 A @ 400 V
I₂₀₀/I₁₀₀	30%~55%
通用参数
输出电压	HBM 5 V~8000 V (5%+5V) MM 5 V~1000V (5%+5V)
极性	正、负或正负交替
频率	0.1 Hz~5 Hz
触发次数	1~999次
触发方式	自动，手动，外触发
输入电源	AC 100 V ~240 V ，+10% 50 Hz /60 Hz
环境温度	15℃~35℃
储藏温度	-10℃~50℃
相对湿度	25%~75%
尺寸	450 mm x320 mm x190 mm(长x宽x高)
重量	约10 kg